反常霍尔效应是固体物理学中的一种研究课题，是指在导电性比较弱的材料中，当材料处于低温和高磁场环境下时，出现的一种矛盾于正常霍尔效应的电导行为。正常的霍尔效应由带电粒子（如电子）在一个电场和一个横向磁场下的运动导致，其电性能够简单的通过一些基本物理方法计算得到。而反常霍尔效应需要更为深入的研究，其中一个典型的例子是在半导体表面的拓扑场中发现的。在这样的系统中，霍尔电阻和纵向电阻的关系并不是线性的，而是呈现出奇怪的拐点，这种现象是由于拓扑场的影响。
反常霍尔效应是现代物理研究中的一个热门话题。在过去几十年中，通过对半导体、量子点、石墨烯和其他一些新奇材料的研究，科学家们已经在反常霍尔效应方面取得了很多进展。这种效应不仅对理论物理学有很多启示，而且可能会在实际的电子设备和导电器件中有很多应用。
